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IRFP22N60K中文资料

  • 大小：123.33KB
  • 厂家：
  • 描述：HEXFET? Power MOSFET
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：600 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 30 V
  • 漏极连续电流：22 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.28 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-247AC
  • 封装：Tube
  • 下降时间：37 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：370 W
  • 上升时间：99 ns
  • 工厂包装数量：500
  • 典型关闭延迟时间：48 ns

IRFP22N60K供应商

更新时间:2023-01-01 10:32:08
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